Линейка портативных твердотельных накопителей Samsung пользовалась значительным успехом на рынке с момента запуска T1 в 2015 году. Несмотря на выпуск SSD X5 с поддержкой Thunderbolt в 2018 году, компания сосредоточила свое внимание в первую очередь на массовом рынке со своими накопителями серии T.
Первый набор PSSD от Samsung включал твердотельный накопитель SATA за мостовым чипом USB 3.2 Gen 1. Выпустив T5 в 2017 году, компания перешла на мост USB 3.2 Gen 2, сохранив при этом твердотельный накопитель SATA. В T7 Touch, выпущенном в 2020 году, компонент SATA был заменен твердотельным накопителем NVMe, а мост SATA USB 3.2 Gen 2 был заменен на NVMe. В 2022 году серия T7 была дополнена моделями с рейтингом IP65 (T7 Shield). Несмотря на то же название T7, использование в Shield новой NAND позволило улучшить как задержку, так и энергопотребление.
Сегодня компания Samsung представляет портативный твердотельный накопитель T9 класса 2 Гбит/с. Оснащенный интерфейсом USB 3.2 Gen 2×2 (20 Гбит/с), PSSD обеспечивает двойную производительность по сравнению с T7 Shield. Компания отправила версию с максимальной емкостью (4 ТБ) для прохождения нашей строгой процедуры оценки устройств хранения с прямым подключением. В приведенном ниже обзоре представлено углубленное исследование конструкции и профиля производительности портативного твердотельного накопителя Samsung T9.
Введение и впечатления о продукте
За последнее десятилетие объем внешних запоминающих устройств с питанием от шины увеличился как по емкости, так и по скорости. Благодаря быстрому развитию флэш-технологий (включая появление 3D NAND и NVMe), а также более быстрым хост-интерфейсам (таким как Thunderbolt и USB 3.x/USB4), у нас теперь есть флэш-накопители размером с ладонь, способные доставлять Скорость 3 ГБ/с+. Хотя этих скоростей можно достичь с помощью Thunderbolt, устройствам массового рынка приходится полагаться на USB. В экосистеме USB USB 3.2 Gen 2 (10 Гбит/с) быстро становится начальным уровнем для флэш-накопителей и портативных твердотельных накопителей. USB 3.2 Gen 2×2 (20 Гбит/с) стартовал медленно, но последние вычислительные платформы Intel и AMD начали поддерживать его на стороне хоста. Появление встроенных флэш-контроллеров USB 3.2 Gen 2×2, таких как Phison U18 и Silicon Motion SM2320, позволило производителям PSSD вывести на рынок недорогие энергоэффективные внешние накопители со скоростью 20 Гбит/с.
Вообще говоря, на этом рынке существует пять различных уровней производительности:
- Диски со скоростью более 2 ГБ/с с Thunderbolt 3 или USB4 и твердотельными накопителями NVMe.
- Диски 2 Гбит/с с USB 3.2 Gen 2×2, использующие твердотельные накопители NVMe или контроллеры флэш-накопителей USB с прямым подключением (UFD).
- Диски со скоростью 1 Гбит/с с USB 3.2 Gen 2, использующие твердотельные накопители NVMe или контроллеры прямого UFD.
- Диски со скоростью 500 МБ/с с USB 3.2 Gen 1 (или Gen 2, в некоторых случаях) с использованием твердотельных накопителей SATA.
- Диски со скоростью менее 400 Мбит/с с USB 3.2 Gen 1 и контроллерами UFD
Внутри каждого из этих уровней существует дальнейшая сегментация на начальный уровень, средний уровень и премиум-класс в зависимости от выбора внутренних компонентов. Рассматриваемый нами сегодня портативный твердотельный накопитель Samsung Portable SSD T9 4 ТБ относится ко второй категории в приведенном выше списке. В комплект поставки T9 входит основной блок, руководство по установке и два USB-кабеля длиной 45 см. Переход от Type-C к Type-C поддерживает скорость 20 Гбит/с, а от Type-C к Type-A ограничена скоростью 10 Гбит/с. Основной блок имеет светодиодный индикатор и гнездовой порт Type-C (USB 3.2 Gen 2×2 поддерживается только с портами Type-C).
Основной блок имеет резиновый чехол, придающий ему некоторую прочность (выдерживает падения и т. д.). Однако T9 не имеет рейтинга IP. Разборка блока довольно тривиальна – после снятия втулки мы видим четыре винта, скрепляющие два алюминиевых блока. Помимо них, за этикеткой с обеих сторон спрятаны еще четыре винта, как показано на галерее ниже. Основная плата PSSD зажата между двумя блоками.
Эта конструкция немного отличается от более ранних приводов серии T. Мы видим более тщательное тепловое решение с множеством термопрокладок, разбросанных по всей плате. Алюминиевые блоки также имеют приподнятые профили внутри, чтобы обеспечить хороший контакт с тепловыделяющими компонентами платы.
Сама плата очень похожа на T7 Shield, который мы рассматривали ранее в этом году. Контроллер NVMe SSD — тот же кремний Pablo, а маркировка корпуса NAND указывает на использование того же 128L/136T6.й Генерал V-NAND. Сегмент NVMe не имеет DRAM. По сравнению с платой T7 Shield емкостью 4 ТБ единственным изменением является замена ASMedia ASM2362 на чип ASMedia ASM2364 USB 3.2 Gen 2×2 — PCIe 3.0 x4 NVMe.
В этом обзоре Samsung T9 сравнивается с множеством других PSSD USB 3.2 Gen 2×2, рассмотренных ранее. Краткий обзор внутренних возможностей этих PSSD предоставлен CrystalDiskInfo. Samsung PSSD T9 поддерживает полную сквозную передачу SMART, а также TRIM, чтобы обеспечить стабильную производительность накопителя на протяжении всего срока его службы.
Сквозная передача SMART – CrystalDiskInfo | |
В таблице ниже представлен сравнительный обзор характеристик различных PSSD, представленных в этом обзоре.
Сравнительная конфигурация устройств хранения данных с прямым подключением | ||
Аспект | ||
Нисходящий порт | 1x PCIe 3.0 x4 | 1x PCIe 3.0 x4 (M.2 NVMe) |
Восходящий порт | USB 3.2 Gen 2×2 Type-C (гнездо) | USB 3.2 Gen 2×2 Тип-C |
Мостовой чип | ASMedia ASM2364 | ASMedia ASM2364 |
Власть | Питание от автобуса | Питание от автобуса |
Вариант использования | Прочный, высокопроизводительный портативный твердотельный накопитель размером с ладонь со скоростью 2 ГБ/с и интерфейсом Type-C. | Компактный и прочный портативный твердотельный накопитель премиум-класса со скоростью 2 ГБ/с в форм-факторе жевательной резинки, предназначенный для игрового рынка. |
Физические размеры | 88 мм х 60 мм х 14 мм | 118 мм х 62 мм х 14 мм |
Масса | 122 грамма | 115 грамм (без кабеля) |
Кабель | 45 см USB 3.2 Gen 2×2 от Type-C (штекер) до Type-C (штекер) 45 см USB 3.2 Gen 2 Type-C (штекер) — Type-A (штекер) |
30 см USB 3.2 Gen 2×2 от Type-C до Type-C 30 см USB 3.2 Gen 2 от типа C до типа A |
SMART-переход | Да | Да |
Поддержка УАСП | Да | Да |
Сквозная обработка TRIM | Да | Да |
Аппаратное шифрование | Да | Нет в наличии |
Оцененное хранилище | Samsung 136L V-NAND (6й Ген.) | Твердотельный накопитель Western Digital SN750E PCIe 3.0 x4 M.2 2280 NVMe SanDisk / Toshiba BiCS 4 96L 3D TLC |
Цена | 440 долларов США | 210 долларов США |
Ссылка на обзор | Обзор портативного твердотельного накопителя Samsung T9 емкостью 4 ТБ | Обзор SSD-накопителя WD_BLACK P50 Game Drive емкостью 1 ТБ №1 (2020 г.) Обзор SSD-накопителя WD_BLACK P50 Game Drive емкостью 1 ТБ №2 (2021 г.) |
Прежде чем рассматривать результаты тестов, энергопотребление и эффективность теплового решения, дается описание настройки испытательного стенда и методологии оценки.
Установка испытательного стенда и методология оценки
Устройства хранения с прямым подключением (включая портативные твердотельные накопители) оцениваются с использованием Quartz Canyon NUC (по сути, Xeon/ECC-версия Ghost Canyon NUC), настроенного с помощью 2 модуля SODIMM DDR4-2667 ECC по 16 ГБ и твердотельный накопитель PCIe 3.0 x4 NVMe — IM2P33E8 1 ТБ от АДАТА.
Наиболее привлекательным аспектом Quartz Canyon NUC является наличие двух слотов PCIe (электрически, x16 и x4) для карт расширения. При отсутствии дискретного графического процессора, для которого нет необходимости в испытательном стенде DAS, доступны оба слота. Фактически, мы также добавили запасной твердотельный накопитель SanDisk Extreme PRO M.2 NVMe в слот M.2 22110 с прямым подключением к ЦП на материнской плате, чтобы избежать узких мест DMI при оценке устройств Thunderbolt 3. При этом по-прежнему можно использовать две карты расширения, работающие в режиме x8 (электрический x16) и x4 (электрический x4). Поскольку Quartz Canyon NUC не имеет встроенного порта USB 3.2 Gen 2×2, Сильверстоун SST-ECU06 Карта расширения была установлена в слот x4. Все устройства, отличные от Thunderbolt, тестируются с использованием порта Type-C, включенного SST-ECU06.
Технические характеристики испытательного стенда приведены в таблице ниже:
Конфигурация испытательного стенда AnandTech DAS 2021 года | |
Система | Intel Кварц Каньон NUC9vXQNX |
Процессор | Intel Xeon E-2286M |
Память | ADATA Промышленный AD4B3200716G22 32 ГБ (2x 16 ГБ) DDR4-3200 ECC @ 22-22-22-52 |
ОС Диск | ADATA Industrial IM2P33E8 NVMe 1 ТБ |
Вторичный диск | Твердотельный накопитель SanDisk Extreme PRO M.2 NVMe 3D, 1 ТБ |
Дополнительная карта | SilverStone Tek SST-ECU06 Хост USB 3.2 Gen 2×2 Type-C |
Операционные системы | Windows 10 Корпоративная x64 (21H1) |
Спасибо ADATA, Intel и SilverStone Tek за компоненты сборки. |
Аппаратное обеспечение испытательного стенда — это только один сегмент оценки. За последние несколько лет типичные рабочие нагрузки для карт памяти с прямым подключением также изменились. Видео 4K с высокой скоростью передачи данных и частотой 60 кадров в секунду стали довольно распространенными, и видео 8K начинают появляться. Размеры установочных игр также неуклонно растут даже на портативных игровых консолях благодаря текстурам и изображениям высокого разрешения. Учитывая это, наша схема оценки устройств хранения с прямым подключением включает в себя несколько рабочих нагрузок, которые подробно описаны в соответствующих разделах.
- Синтетические рабочие нагрузки с использованием CrystalDiskMark и ATTO.
- Реальные трассировки доступа с использованием теста хранилища PCMark 10.
- Пользовательские рабочие нагрузки robocopy, отражающие типичное использование DAS.
- Стресс-тест последовательной записи
В следующем разделе мы дадим обзор производительности Samsung Portable SSD T9 в этих тестах. Прежде чем высказать заключительные замечания, у нас есть некоторые наблюдения относительно показателей энергопотребления PSSD, а также теплового решения.
www.anandtech.com