Конечно, после массового производства 5-нанометрового техпроцесса TSMC основным технологическим процессом следующего поколения будет 3-нанометровый. Согласно TSMC, исследования и разработки его 3-нанометрового процесса продолжаются в соответствии с графиком. TSMC недавно объявила, что начнет пробное производство в 2021 году. Однако крупномасштабное массовое производство должно начаться во второй половине 2022 года. Хотя у нас еще почти два года, прежде чем 3-нанометровый процесс TSMC будет запущен в массовое производство, многие производители платят внимание к передовым технологическим процессам TSMC.
Отчеты показывают, что TSMC готовит четыре волны производственных мощностей для 3-нанометрового процесса. Однако большая часть продукции будет производиться для их основных клиент, Apple. Большая часть первой волны 3-нанометрового технологического процесса TSMC оставлена Apple, что на самом деле и ожидается. Apple – крупный клиент TSMC. Начиная с процессора A10 в серии iPhone 7 в 2016 году, процессоры Apple серии A производятся исключительно TSMC.
3-нм техпроцесс – это полный переход технологического узла после 5-нм, что значительно улучшит производительность чипа. На собраниях, посвященных финансовому отчету компании в первом и втором кварталах этого года, генеральный директор TSMC Вэй Чжэцзя сообщил, что по сравнению с 5-нм техпроцессом 3-нм техпроцесс увеличит плотность транзисторов на 70% и скорость чипа на 10. % – 15%. Энергоэффективность также увеличится на 25–30%.
TSMC уже работает над своим 2-нм техпроцессом
По данным Taiwan Economic Daily, 2-нм техпроцесс TSMC сделал большой прорыв. Сейчас процесс исследований и разработок находится на продвинутой стадии. Компания оптимистично настроена в отношении того, что во второй половине 2023 года доходность ее пробной продукции с учетом рисков может достичь 90%. Цепочка поставок также показала, что в отличие от 3-нм и 5-нм процессов, в которых используется FinFET, в 2-нм процессе TSMC используется новая архитектура полевых транзисторов с несколькими мостами (MBCFET).
В прошлом году TSMC создала группу исследований и разработок по 2-нанометровому проекту, чтобы найти реальный путь развития. Учитывая стоимость, совместимость оборудования, зрелость технологии и производительность, 2-нм техпроцесс принимает архитектуру MBCFET, основанную на процессе объемного затвора (GAA). Это решает физический предел утечки тока управления FinFET из-за усадки процесса. TSMC ранее сообщала, что ее 2-нанометровые исследования и разработки будут производиться в Баошане и Синьчжу. Он также планирует построить четыре сверхбольших завода по производству вафель от P1 до P4 на площади более 90 гектаров.
Если посмотреть на текущий прогресс в области исследований и разработок 2-нм TSMC, он должен выйти на пробное производство в 2023 году и в массовое производство в 2024 году.
