Samsung анонсирует первую память DDR5 DRAM класса 12 нм

Samsung анонсирует первую память DDR5 DRAM класса 12 нм

Сегодня компания Samsung анонсировала обновленную версию своей 16-гигабайтной памяти DDR5 DRAM. Память построена на технологическом процессе класса 12 нм, обновляющем 14-нм продукт EUV, представленный в настоящее время на рынке.

Также было объявлено, что новая DDR5 DRAM совместима с продуктами AMD — она была оптимизирована и проверена на платформах Zen.

Джуён Ли, исполнительный вице-президент по продуктам и технологиям DRAM в Samsung, сказал, что новый стандарт станет ключевым фактором, способствующим распространению DDR5 DRAM на рынке.

Он изготовлен с использованием нового материала, увеличивающего емкость элемента, и запатентованной технологии проектирования, улучшающей критические характеристики схемы.

Новая память DRAM основана на литографии EUV (экстремальное ультрафиолетовое излучение), обеспечивающей более высокую плотность матрицы и повышение производительности пластин на 20 %. Он также потребляет на 23 % меньше энергии, что открывает возможности для более экологичной работы ИТ-компаний.

Ожидается, что первые карты памяти с новой DDR5 DRAM начнут поставляться в 2023 году.

Источник

0

Комментариев нет

Нет комментариев

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *