Samsung Galaxy S21 FE With Exynos 2100 SoC Spotted on Geekbench

Samsung Galaxy S21 FE с Exynos 2100 SoC замечен на Geekbench

Samsung Galaxy S21 FE на базе процессора Exynos 2100 SoC был замечен на Geekbench. В листинге предполагается, что смартфон будет иметь вариант с 8 ГБ оперативной памяти и работать под управлением Android 12. Также сообщается, что на некоторых рынках смартфон будет запущен с SoC Qualcomm Snapdragon. Samsung Galaxy S21 FE ранее был замечен на различных платформах сертификации, включая сертификацию 3C в Китае и Федеральную комиссию по связи США (FCC). Впервые заявлено, что он будет выпущен в сентябре этого года, а теперь ожидается, что смартфон дебютирует в январе следующего года.

Согласно Geekbench листинг, который был пятнистый Согласно сообщению FrontTron, Samsung Galaxy S21 FE был указан с номером модели SM-G990E, который был связан со смартфоном в предыдущих утечках. Смартфон получил 1096 баллов для одноядерного процессора и 3387 баллов для многоядерного процессора. А отчет by SamMobile указывает, что на устройстве может быть запущено предварительное программное обеспечение от Samsung, и он может получить более высокий балл, когда его потенциал будет полностью реализован. Как уже упоминалось, этот вариант имеет 8 ГБ оперативной памяти и работает под управлением Android 12.

Недавно стало известно, что Samsung Galaxy S21 FE выйдет 4 января следующего года без предварительного заказа. Сообщается, что телефон поступит в продажу с 11 января. Ранее сообщалось, что запуск телефона состоится в сентябре, но, предположительно, его дебют был отложен из-за нехватки микросхем и ограничений поставок по всему миру.

Samsung Galaxy S21 FE, скорее всего, будет иметь дизайн, аналогичный серии Galaxy S21. И помимо запуска в варианте Samsung Exynos 2100 SoC, смартфон также имеет модель SoC Qualcomm Snapdragon 888 для некоторых рынков.

Samsung Galaxy S21 FE оснащен 6,4-дюймовым AMOLED-дисплеем с частотой обновления 120 Гц, тройной задней камерой и батареей емкостью 4500 мАч с быстрой зарядкой 25 Вт.


.


Комментарии

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *